问题
为增强静态型(微机型、集成电路型、晶体管型)保护装置本体的抗干扰能力,()。
为增强静态型(微机型、集成电路型、晶体管型)保护装置本体的抗干扰能力,()。
A．装置内所有隔离变压器(如电压、电流、直流逆变电源等采用的隔离变压器)的一、二次绕组均必须可靠接地
B．装置内所有隔离变压器(如电压、电流、直流逆变电源等采用的隔离变压器)的一、二次绕组问必须有良好的屏蔽层，且屏蔽层应在保护屏可靠接地
C。装置内所有隔离变压器(如电压、电流、直流逆变电源等采用的隔离变压器)的一、二次绕组间必须有良好的屏蔽层，且屏蔽层与一、二次绕组均应在保护屏可靠接地
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